光刻
Contact Aligner 1:1
最小線寬：1um
對準精度：1um（頂部對準）& 2um（底部對準）
兼容4英寸和6英寸晶圓
Lift-Off
鍵合
Si-Glass陽極鍵合
Si-Si直接鍵合
Glass-Si-Glass三層鍵合
Si-Glass-Si三層鍵合
金屬共晶鍵合
熱壓鍵合
粘結劑鍵合
干法刻蝕
深硅刻蝕（深寬比高于35:1）
金屬刻蝕（Au、Ti）
Poly Si刻蝕
SiO2刻蝕
SiN刻蝕
Si犧牲層釋放（氣相XeF2）
濕法腐蝕
晶圓清洗（RCA標準清洗）
光刻膠去除（硫酸、去膠液）
金屬腐蝕（Au、Cr、Al、Ni、TiN）
SiO2腐蝕
SiN腐蝕
厚金屬剝離
KOH/TMAH腐蝕臺階
KOH/TMAH硅片減薄
金屬膜工藝
濺射Ti、Pt、Au、Al、Cu、Cr
濺射AlN、TiN、ITO
蒸發Ti、Pt、Au、Al、Ni、Cr
電鍍Au、Cu、Ni、合金
薄膜工藝
熱生長SiO2
PECVD 沉積SiO2
PECVD 沉積 SiN
LPCVD 生長SiN
LPCVD 生長SiO2
LPCVD 生長Poly Si
摻雜注入
硼注入
磷注入
硼擴散
磷擴散
封裝測試
自動劃片
手動貼片
引線鍵合
SEM
白光干涉
膜厚臺階測量
應力分析
電學性能量測
3D成像測量
